納米壓印技術是目前納米溝道加工的主要技術。傳統的光刻技術主要是利用電子和光子改 變光刻膠的物理化學性質，進而得到相應的納米圖形。而納米壓印技術則可以在不使用電子和 光子的前提下，直接利用物理學機理機械地在光刻膠上構造納米尺寸圖形。正是由于這種機械 作用，使得納米壓印技術不再受到光子衍射和電子散射的限制，可大面積地制備納米級圖形。 同時，由于這項技術所用的設備簡單，制備時間短，壓印模板可以重復使用，所以應用該技術 制備納米圖形所需的成本也較低。

這種技術早由普林斯頓大學的 Chou 等學者提出[1]。研究出來的納米壓印技 術是熱壓印(Hot embossing)，隨著研究的不斷深入，一些改進的納米壓印技術也隨之誕生。 這些改進的納米壓印技術主要有：滾軸納米壓印技術（ RNIL）、紫外固化壓印技術（UV-NIL） （包括步進-閃光壓?。⊿-FIL））、微接觸印刷（UCP）、反納米壓印技術（R-NIL）、光刻結合壓 ?。–NP）和激光輔助壓?。↙ADI）等[2]。當然科研者們也正在開發更多的方法，這些改進納米壓印技術原理基本一致，只是工藝變得更簡單、實用和廉價.

熱壓印(Hot embossing) 熱壓印(Hot embossing)是早開發出的納米壓印技術，相對其他技術，它也是被研究的 充分，應用的廣泛，是目前納米壓印技術的主流技術。

熱壓印模板的制備[3] 模板的制備是整個熱壓印過程當中關鍵的一步，因為納米壓印技術的核心思想是圖形 的復制與轉移，整個技術實現的前提是模板須具備高分辨率、穩定、可重復使用特性。目前 分辨率高的曝光技術是電子束直寫曝光技術，它的分辨率可高達 5nm，其過程如下：（1）涂 敷聚合物：將對電子束敏感的聚合物（如 PMMA）涂敷到平整的基底上；（2）制備聚合物圖形： 電子束按照預定的圖形程序在聚合物表面掃描曝光，被曝光區域的聚合物斷鍵或分解，溶解在 特定的溶劑中。而未被掃描的區域則不溶（即顯影），在基底上制備聚合物圖形；（3）轉移聚 合物圖形：經過真空蒸鍍金屬、剝離、反應離子刻蝕等工序，將聚合物圖形轉移到金屬或基底 上。這里的基底材料通常是 SiO2。